11月15日,據中鐵建工集團消息,國博射頻集成電路產業化(二期)項目主體結構已全面封頂,全面轉入二次結構、機電安裝及裝飾裝修施工階段。

source:中鐵建工集團
據悉,國博射頻集成電路產業化項目由南京國博電子有限公司投資建設,占地面積約203畝,總投資30億元,新建廠房及附屬設施,新增設備五百余臺套。項目分兩期建設,其中一期用地面積約103畝,建筑面積約15.1萬平方米;二期用地面積約100畝,建筑面積約7.5萬平方米。
上述一期項目投資額20億元,中試廠房、芯片廠房、模塊廠房等設施已于2023年竣工投產;二期項目將重點補充射頻集成電路封測制造能力,建成后與一期形成射頻集成電路規?;O計、制造能力。
據悉,國博電子成立于2000年,位于南京市江寧區,隸屬于中國電子科技集團有限公司。國博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關產品的研發、生產和銷售。
今年前三季,國博電子實現營收18.13億元,同比減少35.83%;歸屬于上市公司股東的凈利潤3.06億元,同比減少31.93%。2024年第三季,公司實現營收5.11億元,同比減少43.51%;歸屬于上市公司股東的凈利潤6185萬元,同比減少56.28%。
值得一提的是,國博電子近期接受調研時表示,公司的GaN射頻模塊目前主要應用于國內5G通信基站,產品功率覆蓋100W-600W,主流通信頻段均有批量應用。(集邦化合物半導體Morty整理)
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